საწინააღმდეგო ამრეკლავი ფილმის წარმოების პროცესი

ტექნოლოგიური პროცესი
მიაწოდეთ ზრდის მასალები და გაზის წყაროები: მიაწოდეთ ზრდის მასალები ანტი -ამრეკლავი ფილმისთვის, მაგალითად, SIO ზოგიერთ განსახიერებაში, ხოლო ზრდის მასალების შესაბამისი გაზის წყაროების მიწოდებას, როგორიცაა SIH ₄, N ₂ O და N ₂ გაზის წყაროს კომბინაციები .}
ანტი-ასახვის ფენის ფორმირება: გამოიყენეთ იგივე ზრდის მასალა, რომ თანმიმდევრულად ჩამოყალიბდეს ანტი-რეფლექსიის ფილმის ანტი-ასახვის მინიმუმ ორი რეფლექსიის ფენა სუბსტრატის ფენაზე . სუბსტრატის ფენა შეიძლება შეიცავდეს SIO ფენას, Si ფენას და შთანთქმის ფენას, ფილმის ზრდის მიმართულებით,. ანტის ანარეკლების ფენის აღებით (პირველი ანტური ფენის ფენის აღებას). წარმოიქმნება ეპიტაქსიური ზრდის პროცესით (მაგალითად, პლაზმური გაძლიერებული ქიმიური ორთქლის დეპონირების მეთოდი pecvd) . სპეციფიკური ნაბიჯები შემდეგია:
სუბსტრატის დამუშავება: სუბსტრატის ფენაზე ნახევარგამტარული გაწმენდის პროცესის შემდეგ, მოათავსეთ სუბსტრატის ფენა CVD დეპონირების მოწყობილობაზე.
აღჭურვილობის პარამეტრის პარამეტრები: აკონტროლეთ CVD დეპონირების მოწყობილობის ზედა ელექტროდის ტემპერატურა 200-300 ხარისხით და ქვედა ელექტროდის ტემპერატურა 250-350 ხარისხზე .
პირველი საწინააღმდეგო რეფლექსიის ფენის ზრდა: შეცვალეთ CVD დეპონირების მოწყობილობების პირველი დეპონირების პარამეტრები, მათ შორის SIH ₄, N ₂ O და N ₂ პირველი მოცულობის ნაკადის სიჩქარე, პირველი გაზის წნევა, CVD დეპონირების აღჭურვილობის პირველი RF ძალა, პირველი თხელი ფილმის დეპონირების დრო და ა.შ. 10-200 nm და რეფრაქციული ინდექსის დიაპაზონი 1.4-1.71.
მეორე საწინააღმდეგო რეფლექსიის ფენის ზრდა: შეცვალეთ CVD დეპონირების მოწყობილობების მეორე დეპონირების პარამეტრები, მათ შორის SIH ₄, N ₂ O და N ₂, მეორე მოცულობის ნაკადის სიჩქარე, მეორე გაზის წნევა, CVD დეპონირების მოწყობილობის მეორე RF სიმძლავრე, მეორე თხელი ფილმის დეპონირების დრო და ა.შ. 10-200 nm და რეფრაქციული ინდექსის დიაპაზონი 1.4-1.71.

ტექნოლოგიური უპირატესობები
იმავე ზრდის მასალის გამოყენებით, ანტი -ასახვის ფილმს შეუძლია მიაღწიოს იგივე ანტი -ამრეკლავი ეფექტს, ვიდრე სხვადასხვა მასალების ანტი -ამრეკლავი ფილმებთან შედარებით, გამოყენებული გაზის წყაროების ტიპების შემცირება, მომზადების პროცესის სირთულის შემცირება, მომზადების სივრცის და სამუშაო ადგილის გაზრდა გაზის წყაროების შენახვისა და მომზადების პროცესის დროს {{0} {{0

ჰიბრიდული SIO ₂/tio ₂ ანტი -ამრეკლავი ფილმის წარმოების პროცესი

ტექნოლოგიური პროცესი
სუბსტრატის მომზადება: შეარჩიეთ გამჭვირვალე სუბსტრატები, როგორიცაა მინა, ორგანული მინა, პოლიიმიდური ფილმი და ა.შ. ., და შეასრულეთ ლაქების მოცილების მკურნალობა, რათა უზრუნველყოს სუფთა და მტვრისგან თავისუფალი ზედაპირი. საჭიროების შემთხვევაში, ცალმხრივი ან ორმაგი ცალმხრივი გაპრიალება შეიძლება განხორციელდეს მსუბუქი გადაცემის ეფექტურობის გასაუმჯობესებლად.
ფილმის წინამორბედის მომზადება: Tetraethoxysilane (TEOS) და Tetrabutyl Titanate (TBT) ემატება ეთანოლს, რომელიც შეიცავს NH ₄ OH გარკვეულ პროპორციით, ხოლო რეაქცია ტარდება {{0} საათში, რათა მიიღოთ გამჭვირვალე SOL - გელის სისტემა.
საფარი და განკურნება: მომზადებული სოლ გელის სისტემა თანაბრად არის დაფარული გამჭვირვალე სუბსტრატზე, ხოლო სპინების საფარი, სპრეი, დავარცხნა და სხვა სქემები შეიძლება გამოყენებულ იქნას . საფარის შემდეგ, ჰიბრიდული SIO ₂/Tio ₂ ფილმის წინამორბედი მოთავსებულია ღუმელში სამკურნალოდ და annealing მკურნალობისთვის, ფორმირება მრავალჯერადი სტრუქტურის შესაქმნელად, ფორმირებაში {2
წრიული საფარი: გაიმეორეთ საფარის და სამკურნალო პროცესი, სანამ სასურველი ანტი -ამრეკლავი ეფექტი მიიღება . სხვადასხვა საფარის დრო და თანმიმდევრობები გავლენას მოახდენს ანტი -ამრეკლავი ფილმების შესრულებაზე, ხოლო კვლევა და ოპტიმიზაცია საჭიროა .
ზედაპირული მკურნალობა: ანტი -ამრეკლავი ფილმის გამძლეობისა და სტაბილურობის გასაზრდელად, ჰიდროფილური და ჰიდროფობიური პოლიმერის ფენა შეიძლება დაფარული იყოს ანტი -ამრეკლავი ფილმის ზედაპირზე .

ინფრაწითელი ანტი -ამრეკლავი ფილმის წარმოების პროცესი
ტექნოლოგიური პროცესი
ინფრაწითელი ანტი -რეფლექსიის ფილმი დაფუძნებულია სილიკონზე და დაფარულია ანტი -ასახული ფილმებით სუბსტრატის ორივე მხრიდან . ანტი -ასახვის ფილმის ფილმის სისტემის სტრუქტურა ერთმანეთისგან დამოუკიდებელია, როგორც (Hl) ^ s, სადაც H წარმოადგენს Si ფენას, L წარმოადგენს SIO ფენას, S წარმოადგენს integer– ს შორის, და SI ფენა სუბსტრატთან არის მიმდებარე, ხოლო SIO ფენა მდებარეობს ზედაპირზე . საფარის პროცესი გამოიყენება ფილმის ფენის სუბსტრატზე დასამატებლად, SIO ფილმის ფენით, როგორც უკიდურეს ფენა, რომელსაც აქვს მაღალი ზედაპირის სიმტკიცე და არ საჭიროებს დამატებით დამცავ ფენას {{3} დამატებით, შეიძლება შეამციროს ზედაპირი რეფრაქციული რეფლექსია, რომელიც შეიძლება გამოიწვიოს ზედაპირის ქვედა რეფრაქციულმა რეფრაქციულმა და ზედაპირმა, რაც შეიძლება შემცირდეს ზედაპირის რეფრაქციული რეფლექსია. გადაცემის .

მაღალი ტემპერატურის რეზისტენტული Co ₂ ლაზერული ანტი-ამრეკლავი ფილმის წარმოების პროცესი
ტექნოლოგიური პროცესი
მასალის წინასწარი დნობა: ცალკეული წინასწარი დნობის მკურნალობა ხორციელდება yttrium fluoride- ზე, კალციუმის yttrium fluoride- ზე და თუთიის სელენიდის ფილმის მასალებზე, რომ ამოიღონ მინარევები ფილმის მასალებში .
დეპონირების ფილმის ფენა: პირველი Yttrium Fluoride ფენა, yttrium კალციუმის ფლუორიდის ფენა, თუთიის სელენიდის ფენა და მეორე Yttrium Fluoride ფენა თანმიმდევრულად დეპონირდება თუთიის სელენიდის სუბსტრატის ფენაზე, სისქით 3 ± 0 . 1 მმ ვაკუუმის აორთქლებით {4} სუბსტრატის ფენა . თითოეული ფენის ფიზიკური სისქის მოთხოვნები შემდეგია: პირველი Yttrium ფტორული ფენის ფიზიკური სისქეა 95-100 ნანომეტრები; Ytterbium კალციუმის ფტორული ფენის ფიზიკური სისქეა 860-870 ნანომეტრები; თუთიის სელენიდის ფენის ფიზიკური სისქეა 240-250 ნანომეტრები; მეორე Yttrium Fluoride ფენის ფიზიკური სისქეა 95-100 ნანომეტრები.
 

ტექნოლოგიური უპირატესობები
მომზადებულ საწინააღმდეგო ასახვის მემბრანას აქვს მარტივი სტრუქტურა და დახვეწილი დიზაინი . ოთხი ფენის კომბინაცია აქვს მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობის მახასიათებლებს, მაღალი გადაცემას, მემბრანულ ფენას, მემბრანულ ფენებს შორის დამატებით სტრესს და მემბრანული ფენების არარსებობას. გამოიწვიოს ოპერატორების დაზიანება და გარემო .